自1991年以來(lái),AEL晶振有限公司已發(fā)展成為歐洲領(lǐng)先的頻率控制組件供應(yīng)商之一。我們的成功基于扎實(shí)的工程知識(shí)基礎(chǔ),同時(shí)也為我們的客戶提供高效的總體供應(yīng)鏈管理服務(wù)。無(wú)論您身在何處,無(wú)論您是在英國(guó)設(shè)有研發(fā)機(jī)構(gòu)還是在遠(yuǎn)東地區(qū)生產(chǎn),您都可以確信AEL將始終以具有全球競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格為您提供始終如一的質(zhì)量和可靠的服務(wù)。
我們的石英晶振產(chǎn)品在機(jī)頂盒,安防產(chǎn)品,汽車產(chǎn)品和移動(dòng)和地面通信等多種應(yīng)用領(lǐng)域獲得了全球的普遍認(rèn)可。我們每周運(yùn)送數(shù)百萬(wàn)單位到從墨西哥到中國(guó)的目的地。隨著頻率控制領(lǐng)域的許多新型創(chuàng)新產(chǎn)品的開發(fā),我們能夠?yàn)榻裉斓碾娮庸こ處熖峁┰陬l率產(chǎn)生領(lǐng)域更大程度的靈活性的自由。
AEL晶振,貼片晶振,125303晶振,石英貼片晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振的研磨技術(shù):通過(guò)對(duì)晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨,使石英晶振的晶片達(dá)到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為:在壓電晶體行業(yè),生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個(gè)方面,通過(guò)理論與實(shí)際相結(jié)合,累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn),通過(guò)深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù),注重貼片晶振研磨過(guò)程的各種細(xì)節(jié),注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇;
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AEL晶振 |
單位 |
125303晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
24~80MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
50μW Max. |
推薦:100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±7,10,15,20,30,50× 10-6 |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
9PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±2× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性:將進(jìn)口晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。AEL晶振,貼片晶振,125303晶振,石英貼片晶振
所有陶瓷石英晶振和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。音叉型晶體諧振器,2012無(wú)源音叉晶振,TF20晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英SMD晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在1612金屬封裝晶振(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。AEL晶振,貼片晶振,125303晶振,石英貼片晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)1612貼片晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致車載1612石英晶體振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量小型化市場(chǎng)1612晶振頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線).



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