大河晶振
單位
石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率
f_nom
8.000MHZ~60.000MHZ
標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度
T_stg
-40°C～+85°C
裸存
工作溫度
T_use
-40°C～+85°C
標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率
DL
500μW Max.
推薦:1μW～100μW
頻率公差
f_— l
±15ppm~±50ppm
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
頻率溫度特征
f_tem
±50 × 10-6
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容
CL
8pF、10pF
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)
R1
如下表所示
-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化
f_age
±5 × 10-6/ year Max.
+25°C,第一年
輸出波形與測(cè)試電路
2.測(cè)試條件
3.測(cè)試電路
FCX-03晶振
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.sxncwy.com/
＜SMD產(chǎn)品＞
SMD晶體產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝，但還是請(qǐng)預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測(cè)試，確認(rèn)其對(duì)特性沒有影響。 在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中，請(qǐng)注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì)使得京瓷CX3225GB晶體諧振器產(chǎn)品內(nèi)部傳播過大的振動(dòng)，有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩，因此不推薦使 用。
＜引線類型產(chǎn)品＞
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí)，請(qǐng)注意避免對(duì)基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕，從而引起性能劣化。
保管
保管在高溫多濕的場(chǎng)所可能會(huì)導(dǎo)致陶瓷面晶振端子軟焊性的老化。
請(qǐng)?jiān)跊]有直射陽(yáng)光，不發(fā)生結(jié)露的場(chǎng)所保管。
其他
＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓CX3225GB貼片晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍 以上。
1.時(shí)序表
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。TXC晶振,進(jìn)口晶振,8Y晶振
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。京瓷晶振,石英晶振,CX2520DB晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）
瑞士微晶晶振,貼片晶振,CC2A-T1A晶振
Vectron晶振,SMD晶體,VXM1晶振
Golledge晶振,貼片晶振,CC2A晶振
希華晶振,石英晶體諧振器,GX-50322晶振
京瓷晶振,貼片晶振,CX5032GA晶振,CX5032GA08000H0PST02晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX5032GB晶振,NX5032GB-12MHZ-STD-CSK-5晶振
TXC晶振,貼片晶振,7A晶振
京瓷晶振,貼片晶振,CX5032GB晶振,無(wú)源晶振