加高電子本著顧客滿意與品質(zhì)領(lǐng)先的使命感,為提供客戶穩(wěn)定的貼片晶振品質(zhì),本公司均依照TS16949 / ISO9001的國際品質(zhì)認證要求,執(zhí)行并建構(gòu)品質(zhì)保證系統(tǒng),實行嚴格的品質(zhì)控制制度,加高電子品質(zhì)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行,是由品質(zhì)政策展開,合理化推動品質(zhì)管理,落實品質(zhì)系統(tǒng)有效實施,相繼于2000年取得ISO9001認證,2006年經(jīng)BVQi驗證取得ISO / TS16949品質(zhì)系統(tǒng)之標準。
面對全球社會,景氣,氣候等環(huán)境的變化,身為地球村一份子的加高深信,企業(yè)在追求持續(xù)成長與績效之際,更應(yīng)善盡企業(yè)社會責任,堅守創(chuàng)造企業(yè)與社會一同向上,向善的使命感。加高電子的企業(yè)核心文化為「用心,創(chuàng)新,和諧,信賴」,在企業(yè)持續(xù)經(jīng)營石英晶體諧振器產(chǎn)業(yè)過程中以持續(xù)改善的理念,落實企業(yè)社會責任,為股東,客戶,供應(yīng)商,員工等各界利害相關(guān)者創(chuàng)造最大之利益。
加高晶振,小體積晶體,HSX111SA晶振.貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
加高晶振高精密點膠技術(shù):石英晶振晶片膠點的位置、大?。何恢脺蚀_度以及膠點大小一致性,通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運用、使石英晶振晶片的點膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號。
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加高晶振 |
單位 |
HSX111SA晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
24.000MHZ~54.000MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C~+60°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
10μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±7 × 10-6(標準), |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±10× 10-6/-10°C~+60°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF、10pF、12pF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C ~+60°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致無源晶振性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致1612晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。加高晶振,小體積晶體,HSX111SA晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞高精度晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明無源貼片晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。加高晶振,小體積晶體,HSX111SA晶振
2.振蕩補償
除非在貼片型石英晶體諧振器振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致貼片晶振1612振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考




CTS晶振,1612石英晶體,416晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX1612SA晶振,NX1612SA-32.000MHZ-CHP-CIS-3晶振
京瓷晶振,貼片晶振,CX1612DB晶振,CT1612DB38400C0FLHA1晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX1612SB晶振
大河晶振,貼片晶振,FCX-07晶振,日產(chǎn)石英晶振
希華晶振,貼片晶振,CSX-1612晶振,進口貼片晶體
村田晶振,MCR1612晶振,XRCFD26M000FYQ01R0晶振
村田晶振,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振
Golledge晶振,貼片晶振,GRX-210晶振,石英進口晶振
FOX進口無源晶振,超小型1612晶振,FC0BSFEEN23A99675-T2智能手環(huán)晶振