SEIKO是日本晶振制造商Seiko Instruments Inc.的縮寫，也成為SII。SII擁有世界上頂端的機(jī)械技術(shù)。除了是世界上著名的石英手表廠商，同時(shí)也生產(chǎn)電腦打印機(jī)。做電子元器件，在石英振子這一方面，SII也是做的非常之出色的,目前，能夠與日本精工晶振全球同等級(jí)競(jìng)爭的，只有日本大真空KDS。SEIKO生產(chǎn)的石英晶振型號(hào)并不是很多，但是質(zhì)量絕對(duì)可以和日產(chǎn)任何一個(gè)大品牌“媲美”。
生活中手機(jī)應(yīng)用到的晶振精工SSP-T7-F是最合適不過了。超輕薄的貼片晶振。體積達(dá)到7.0*1.5mm。可以和一粒米相提并論了。適合用在高密度表面安裝，它采用塑料模封裝設(shè)計(jì)，內(nèi)有高可靠的管狀石英晶體，提供的頻率32.768KHZ，負(fù)載電容為6.0pF或12.5pF。金屬外殼的使用使得VT-200-F圓柱音叉表晶在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性。具備優(yōu)良的耐熱性，耐環(huán)境特性，優(yōu)良的電氣特性。除了體積2*6的圓柱晶振，精工還研發(fā)出最小最輕的音叉晶振，體積僅有4.7*1.2mm（VT-120-F）。不過這款插件晶振的價(jià)格也是相比VT-200-F單價(jià)比較貴的。

精工晶振,石英晶振,VT-120-F晶振,引腳音叉晶振元件.工廠倉庫長時(shí)間大量庫存常用頻點(diǎn),高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.49/S石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
石英晶振曲率半徑加工技術(shù)：時(shí)鐘晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù)，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時(shí)球面測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則（曲率半徑公式的計(jì)算）。注意：在石英晶振晶體測(cè)量中各個(gè)廠家的儀器會(huì)存在一定的差距（誤差），所以應(yīng)對(duì)晶振晶體測(cè)試儀器做特別管制。尤其是小公差產(chǎn)品。目前本公司的標(biāo)準(zhǔn)儀器在品管部。DIP 產(chǎn)品為 250A，SMD產(chǎn)品為 250B。品管部應(yīng)對(duì)公司內(nèi)每臺(tái)單機(jī)每個(gè)月進(jìn)行一次校對(duì)。自動(dòng)測(cè)試機(jī)用平移法進(jìn)行測(cè)試。同時(shí)保留和記錄與不同客戶之間的誤差。在生產(chǎn)中用平移法解決。高精度的頻率、電阻的測(cè)量技術(shù)：引進(jìn)一批先進(jìn)的檢測(cè)儀器，準(zhǔn)確度達(dá)到±1ppm（國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)）。在測(cè)量應(yīng)用上制定一套標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量方法保證測(cè)量的準(zhǔn)確性、儀器的精度、測(cè)試的一致性.

所有石英晶體諧振器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。精工晶振,石英晶振,VT-120-F晶振,引腳音叉晶振
熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的圓柱晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
機(jī)械性沖擊(1) 從設(shè)計(jì)角度而言，即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次，按照設(shè)計(jì)不會(huì)發(fā)生什么問題，但因落下時(shí)的不同條件而異，有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時(shí)，在使用之前，建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。(2) SMD石英晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同，由于在內(nèi)部對(duì)石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù)，因此關(guān)于在自動(dòng)安裝時(shí)由于沖擊而導(dǎo)致的影響，請(qǐng)?jiān)谑褂弥?，懇?qǐng)貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。(3) 請(qǐng)盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動(dòng)源(包括超聲波振動(dòng)源)安裝到同一塊基板上，不得已要安裝到同一塊基板上時(shí)，請(qǐng)確保晶振能正常工作。關(guān)于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片，以及相對(duì)而言頻率與超音波清潔器相近，所以會(huì)由于共振而容易受到破壞，因此請(qǐng)不要用超音波清潔器來沖洗晶振。

晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了32.768K插件晶振這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。精工晶振,石英晶振,VT-120-F晶振,引腳音叉晶振
角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在32.768K時(shí)鐘晶體振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。

測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用32.768K晶振微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線）

負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致音叉表晶振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。