泰藝石英晶振公司秉持「質量至上、創(chuàng)新思維、誠信為本、服務第一」的四大經(jīng)營理念持續(xù)不斷努力革新,強化現(xiàn)有體質與創(chuàng)新機制以創(chuàng)造更高的客戶價值.清楚知道自身對于同仁、環(huán)境、社會及合作伙伴們所肩負的責任與義務,相信透過信息公開與揭露CSR報告書,對建立一個平衡與和諧的利害關系人良性互動網(wǎng)絡有幫助,更能促進企業(yè)健康穩(wěn)定的成長.
泰藝石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、無源晶振溫度范圍內的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸。
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泰藝晶振規(guī)格 |
單位 |
X3晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
27.000MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+105°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/-40°C~+85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
20PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對于可清洗產(chǎn)品,應避免使用可能對石英水晶諧振器產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響晶振的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。泰藝晶振,貼片石英晶振,X3晶振
設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明振蕩1.6*1.2小型無源晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。泰藝晶振,貼片石英晶振,X3晶振
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加1612貼片晶振振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致進口泰藝原裝正品振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考



瑞康晶振,石英晶振,RSX1612晶振
鴻星晶振,石英晶體諧振器,ETAB晶振
ECS晶體,貼片晶振,ECX-1247晶振,小體積石英晶振
AEL晶振,貼片晶振,125302晶振,進口無源晶振
ELM12W-38.000MHz-6-R120-D7X-T|1612mm|38MHz|6pf
SXT11410AA38-32.000M,10pf,-30~85°C,SUNTSU晶振
X3AEEJNANF-26.000000-臺灣Taitien晶振-1612mm-26MHz
8Q-37.400MEEV-T,1612mm,37.4MHz,超小型石英晶振
MERCURY晶振,1612mm,X11-26.000-16-30/30Y/20R,6G無線網(wǎng)絡晶振
NKG Crystal,S1M24.0000F18E1Y-EXT,1612mm晶振,6G移動通信晶振