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加高晶振,貼片晶振,HSX321G晶振,進(jìn)口貼片晶振

頻率：10~50MHZ

尺寸：3.2*2.5*0.75mm

3225mm體積貼片晶振適用于汽車(chē)電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車(chē)電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

加高電子本著顧客滿意與品質(zhì)領(lǐng)先的使命感，為提供客戶穩(wěn)定的加高石英晶振產(chǎn)品品質(zhì)，本公司均依照TS16949 / ISO9001的國(guó)際品質(zhì)認(rèn)證要求，執(zhí)行并建構(gòu)品質(zhì)保證系統(tǒng)，實(shí)行嚴(yán)格的品質(zhì)控制制度，加高電子品質(zhì)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行，是由品質(zhì)政策展開(kāi)，合理化推動(dòng)品質(zhì)管理，落實(shí)品質(zhì)系統(tǒng)有效實(shí)施，相繼于2000年取得ISO9001認(rèn)證，2006年經(jīng)BVQi驗(yàn)證取得ISO / TS16949品質(zhì)系統(tǒng)之標(biāo)準(zhǔn)。陶瓷面石英無(wú)源晶振,,3.2*2.5四腳貼片晶振,HSX321G晶振
在服務(wù)上，我們致力于建立深厚的顧客信賴關(guān)系及滿意度的提升。為達(dá)到全面服務(wù)客戶的需求，制造質(zhì)量與價(jià)格優(yōu)勢(shì)，我們?cè)谂_(tái)灣，大陸及泰國(guó)皆擁有生產(chǎn)工廠，并且提供多元化的進(jìn)口石英晶振網(wǎng)路服務(wù)，配置多國(guó)語(yǔ)言能力之銷(xiāo)售團(tuán)隊(duì)，使我們能夠與國(guó)際客戶群進(jìn)行有效的溝通，取得客戶的支持及認(rèn)可，國(guó)內(nèi)外客戶皆可透過(guò)各地的銷(xiāo)售辦事處和經(jīng)銷(xiāo)商，取得完整即時(shí)的需求回應(yīng)及服務(wù)。公司治理:遵守法律及商業(yè)道德規(guī)范，建立完善企業(yè)制度以維持良好的公司治理。持續(xù)不斷積極改善提升競(jìng)爭(zhēng)力，創(chuàng)造股東權(quán)益。 JLX-1

加高晶振,貼片晶振,HSX321G晶振,進(jìn)口貼片晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車(chē)電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分,低頻晶振可從7.98MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)。
客戶特殊要求3225mm貼片晶振參數(shù)設(shè)置測(cè)試。（C0、C1、DLD、TS）高頻連續(xù)脈沖焊接技術(shù)：是通過(guò)在基座與上蓋之間高頻率連續(xù)低功率脈沖焊接放電，使基座與上蓋焊接部位熔接在一起，目前通過(guò)長(zhǎng)期試驗(yàn)，已總結(jié)一套工藝參數(shù)，輸入PLC進(jìn)行焊接控制，利用此技術(shù)密封的石英晶振氣密性高，金屬濺射污染少，頻率變化小，一般在±2ppm以內(nèi)。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。陶瓷面石英無(wú)源晶振,,3.2*2.5四腳貼片晶振,HSX321G晶振 JLX-2

加高晶振	單位	HSX321G晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	10MHZ~50MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	10~100μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±10× 10-6 ~±50× 10-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.sxncwy.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30× 10-6 /±50× 10-6 /-40°C ~+105°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF、10pF、12PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-10°C ~+60°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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HSX321G 3225 JLX-4

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晶振在產(chǎn)品應(yīng)用中頻率偏差超過(guò)要求怎么辦呢？我們可以改善的頻率輸出的偏差超過(guò)范圍由以下幾個(gè)方法：調(diào)整外部電容，Cd和CG的值。如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高，要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值），以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率，反之亦然?？梢圆捎貌煌?fù)載電容（CL）的晶振試用。試用石英晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。請(qǐng)檢查波形幅度是否是正?；虿皇褂檬静ㄆ?，正確的電容是通過(guò)和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮，由于增加外部電容，請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容，并采用低電容的晶體）的情況。頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。下面的曲線表示晶體的電阻的特征：加高晶振,貼片晶振,HSX321G晶振,進(jìn)口貼片晶振

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晶振具有多種振動(dòng)模式，如基頻， 3次泛音，5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí)，晶振的電阻是最低的，這意味著它是最簡(jiǎn)單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用，一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此，如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí)，要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了，因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式，而不是第三次泛音調(diào)模式。該電路可能不振蕩，如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的?；l模式與三次泛音模式應(yīng)用程序如下：一。的基頻模式B應(yīng)用。三次泛音模式的應(yīng)用程序 20180531154739

下表顯示升的匹配值，C由各種頻率三次泛音模式石英晶振諧振器頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍,這個(gè)問(wèn)題的可能性相對(duì)較小。請(qǐng)確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式，由于放大電路的反饋大。當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問(wèn)題可能會(huì)發(fā)生。為了解決這個(gè)問(wèn)題，請(qǐng)采用三次泛音模式晶振。陶瓷面石英無(wú)源晶振,,3.2*2.5四腳貼片晶振,HSX321G晶振

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振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加3225貼片晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。加高晶振,貼片晶振,HSX321G晶振,進(jìn)口貼片晶振

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測(cè)試條件:電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量3225晶體諧振器頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）

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在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到4腳陶瓷晶振個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在汽車(chē)電子專用晶振的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

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