鴻星晶振,5032晶振,E5SB晶振

產(chǎn)品簡介

5032mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.

產(chǎn)品詳情

HX-2

鴻星的核心精神：誠信負(fù)責(zé)、團隊合作、專業(yè)創(chuàng)新、積極成長。HOSONIC以先進技術(shù)、優(yōu)異質(zhì)量、完善服務(wù)，成為晶體產(chǎn)業(yè)最具競爭優(yōu)勢的品牌。Hosonic現(xiàn)在是一個領(lǐng)先的專業(yè)晶體諧振器、晶體振蕩器制造商在世界上，致力于直插和貼片式石英振蕩器的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司致力于提供最好的質(zhì)量、服務(wù)和價值的客戶應(yīng)對不斷變化的技術(shù)和環(huán)境的挑戰(zhàn)。Hosonic專注于自己的核心技術(shù)和鼓勵員工的創(chuàng)造力，創(chuàng)新和團隊合作。
鴻星格林雷晶振集團廣泛用于通信行業(yè)的需求,包括為電信、無線和SATCOM以及WiMAX等新興技術(shù)而設(shè)計的產(chǎn)品,包括用于電信的Stratum III和IIIE.此外,我們還為全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)(如GPS)提供高精度有源晶振,石英晶體振蕩器,溫補晶振等.所生產(chǎn)的高精密晶體諧振器、普通晶體振蕩器（SPXO）、低噪音壓控晶體振蕩器（VCXO）、低振動溫補晶體振蕩器（TCXO）、高穩(wěn)定恒溫晶體振蕩器（OCXO）廣泛用于一些檢測儀器,高端設(shè)備儀器,高精密設(shè)備等產(chǎn)品中.

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鴻星晶振,5032晶振,E5SB晶振.5.0*3.2mm小型四腳SMD晶體焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
鴻星石英晶振離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)：比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；2.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；3.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi).

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鴻星晶振	單位	E5SB晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8.000MHZ~80.000MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	100μW Max.	推薦:1μW～100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), (±10 × 10-6~±50 × 10-6可用)	+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.sxncwy.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-30°C~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	10PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±2× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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E5SB(Former HCX-5SB) 5032

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抗沖擊
5032貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。鴻星晶振,5032晶振,E5SB晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解SMD晶體或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞無源晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

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設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明5032四腳晶振單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

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2.振蕩補償
除非在小體積無源貼片晶體振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致鴻星壓電晶體振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。鴻星晶振,5032晶振,E5SB晶振

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