
XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模塊差分晶振,Fortiming晶振,XO75HCSL差分晶振,有源晶振,XO75HCSL-125M000-B50B3晶振,石英晶體振蕩器,HCSL輸出晶振,SMD晶體,7050mm晶振,六腳貼片晶振,頻率125MHz,電壓3.3V,頻率穩(wěn)定性50ppm,工作溫度-40~85°C,無鉛環(huán)保晶振,低相位抖動晶振,無內(nèi)部鎖相環(huán)晶振,6G模塊晶振,專為PCI Express應(yīng)用程序,英特爾芯片組等設(shè)計(jì).
XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模塊差分晶振特點(diǎn):
-符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)(無鉛),HCSL兼容輸出
-專為PCI Express應(yīng)用程序,英特爾芯片組等設(shè)計(jì)。
-極低相位抖動,無內(nèi)部鎖相環(huán),避免級聯(lián)鎖相環(huán)問題
-免費(fèi)輸出,三狀態(tài)啟用/禁用標(biāo)準(zhǔn),7x5x1.8 mm SMD封裝

XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模塊差分晶振規(guī)格表
項(xiàng)目
規(guī)格說明
額定頻率
125MHz
輸入電壓
+3.3 VDC ±10%
輸入電流
30 mA Maximumfor 3.3V
儲存溫度
-55°C to 125°C
總體頻率穩(wěn)定性
±50 ppm
工作溫度
-40℃~ +85℃
標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)定常數(shù)
50A = ±50 ppm / 0°C to 70°C
電動選項(xiàng)(對稱)
Tristate 55/45%
輸出負(fù)載
50 Ohms
邏輯“1”級(Voh)
660 mV (Min), 740 mV (Typ), 850 mV (Max)
邏輯“0”級(Vol)
-150 mV (Min), 0 mV (Typ), 150 mV (Max)
上升/下降時(shí)間(Tr/Tf)
0.5 ns Maximum, at 20% to 80% Vp-p
啟動時(shí)間
2ms Maximum
相位抖動(RMS, 1 Sigma)
1 ps Max for fj = 12KHz to 20MHz

XO75HCSL-125M000-B50B3,Fortiming晶振,6G模塊差分晶振尺寸圖




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