自從我們在1990年成立以來,Golledge電子取得了前所未有的成功。經(jīng)過多年的不斷增長,我們現(xiàn)在是英國最主要的石英晶體諧振器產(chǎn)品供應(yīng)商。我們高度重視與我們的制造業(yè)伙伴發(fā)展的關(guān)系,每一個精心挑選,以自己對客戶服務(wù)和產(chǎn)品質(zhì)量標準的承諾。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子工業(yè),包括電信、衛(wèi)星、微處理器、航空航天、汽車、儀器和醫(yī)療應(yīng)用。
Golledge晶振的產(chǎn)品系列推薦用于高端音頻,僅使用最高質(zhì)量的石英和安裝技術(shù)來避免雜散共振。這有助于減少不必要的擾動影響調(diào)諧曲線或控制回路的可能性。我們所有的音頻推薦產(chǎn)品還具有驚人的低抖動規(guī)格,這意味著您不再需要再擔(dān)心在DAC的輸出中引入噪聲。我們還提供超低相位噪聲OCXO,為那些想要最終清潔音頻再現(xiàn)的用戶。
Golledge晶振,SMD晶體,CC4V晶振.貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.是高可靠的環(huán)保性能,嚴格的頻率分選,編帶盤裝,可應(yīng)用于高速自動貼片機焊接.
高利奇石英晶振的切型。采用高速線切割技術(shù):1.優(yōu)化及嚴格規(guī)范線切割機各項設(shè)備參數(shù);2.通過試驗精選所使用的各類線切割料,如:磨料、線切割線、槽輪等;3.確認最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù)。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了石英晶振晶片的精度,提高了生產(chǎn)效率。
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golledge晶振 |
單位 |
CC4V晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-55°C~+125°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
12.5pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體。在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至無源晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些進口晶體振蕩器。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等。
每個封裝類型的注意事項
(1)陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷諧振器產(chǎn)品和SON產(chǎn)品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,彎曲電路板會因機械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。Golledge晶振,SMD晶體,CC4V晶振
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明進口SMD無源晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。Golledge晶振,SMD晶體,CC4V晶振
2.振蕩補償
除非在高利奇貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致32.768K音叉水晶振蕩子振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考




KDS晶振,石英晶振,DST520晶振
愛普生晶振,SMD晶體,FC-255晶振,FC-255 32.7680K-A3
微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振
ECS晶體,貼片晶振,ECX-39晶振,貼片式諧振器