河エレテック的主力產(chǎn)品,水晶使用的電子元件(水晶設(shè)備),銷售額的約90%以上。在水晶裝置上也有幾種類型,本公司生產(chǎn)的是水晶振動(dòng)和水晶振蕩器。其中業(yè)界獨(dú)有的電子束的氣密封裝工法用橘色的類型(表面安裝型)特化,小型便攜式設(shè)備(手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)游戲等)和近距離無線通信(藍(lán)牙和無線LAN等),汽車電子和醫(yī)療機(jī)器等最先進(jìn)3225晶振的領(lǐng)域集中在穩(wěn)定的收入,確保了。同時(shí),也作為開發(fā)的概念開發(fā)的概念,在產(chǎn)品的小型化中經(jīng)常領(lǐng)導(dǎo)著業(yè)界的發(fā)展。
大河晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個(gè)產(chǎn)品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的價(jià)值,給社會帶來溫馨和安寧,感動(dòng)和驚喜,同時(shí)為減少環(huán)境影響,努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”,實(shí)現(xiàn)與地球的和諧相處。遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn)。在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識。確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開。大河晶振集團(tuán)認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。
大河晶振,貼片晶振,FCX-04C晶振,石英晶振,3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。
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大河晶振 |
單位 |
FCX-04C晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8.000MHZ~60.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±7ppm~±50ppm |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6 |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
5pF、6pF、7pF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng):大河晶振,貼片晶振,FCX-04C晶振,石英晶振
陶瓷包裝進(jìn)口晶振與SON產(chǎn)品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振諧振器:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。(2)陶瓷封裝貼片晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產(chǎn)品:產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)石英晶振的引腳晶振需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。
驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率,3225mm石英晶振其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。大河晶振,貼片晶振,FCX-04C晶振,石英晶振
適當(dāng)?shù)目刂?a title="3225金屬面晶體" target="_blank">3225金屬面晶體電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過3.2x2.5無源晶體振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線。)






村田晶振,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振
CTS晶振,貼片晶振,SA324晶振,無源晶振
Jauch晶振,貼片晶振,JXS32P4晶振,進(jìn)口晶體諧振器
93225S有源振蕩器,艾西迪晶振,RSC2000BBISEPL-PF[20MHz]晶振
511BCA148M500CAG,Silicon品牌,6G路由器晶振
TG-3541CE32.7680KXA3,EPSON車規(guī)晶振,3225溫補(bǔ)晶振
TX32ED-12015S-19.200-X-R,AKER安碁晶振,削峰正弦波晶振
X3Z032000BC1H-Z,HELE加高晶振,HSX321SK無源晶振
7M12000039,臺灣進(jìn)口TXC晶振,3225無源諧振器
SG3225VAN100.000000M-KEGA3,EPSON醫(yī)療設(shè)備晶振,LVDS差分振蕩器