IDT在德國的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運營其卓越的汽車中心。本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949,根據iso26262的標準,支持功能性安全要求。了解更多關于IDT的汽車質量。IDT晶振的創(chuàng)新時機、互連、PMIC和無線電力解決方案使客戶能夠開發(fā)具有創(chuàng)新功能、改進性能和延長電池壽命的移動和個人電子產品。
IDT開發(fā)了與數字系統(tǒng)相結合的半導體解決方案,例如處理器和內存,彼此之間,以及物理世界。在IDT,我們認為作為一個行業(yè)領導者,我們在解決我們星球上一些最偉大的社會和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關鍵作用。IDT的傳感器信號調節(jié)器適用于各種汽車應用,包括電力轉向、排放控制、可變閥門定時、液位測量、航向通風和空調(HVAC)。
IDT晶振,OSC振蕩器,XL晶振.是屬于晶體的起振需要用到外部電壓供應的一種石英晶體振蕩器,但7050有源晶振電壓達到2.5V就能起振,最高不超過3.3V,因其的低功耗電流的功能特性,并且在惡劣的環(huán)境下,或者高溫達到75度,低溫至零下40度,都能保持穩(wěn)定的起振作用。
有源晶振頻率越高一般價格越高。但頻率越高,頻差越大,從綜合角度考慮,一般工程師會選用頻率低但穩(wěn)定的晶振,自己做倍頻電路。總之石英晶振是根據需要去選擇合適的頻率,并不是晶振頻率越大就越好。要看具體需求。
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IDT晶振 |
標示 |
XL晶振 |
晶振基本信息對照表 |
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標準范圍 |
f0 |
0.750MHz~1350MHz |
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電源電圧 |
Vcc |
+2.5V、+3.3V |
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輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
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頻率負載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS出力 |
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標準頻率偏差 |
f_tol |
±25、±50、±100×10-6 max.
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初期偏差、 |
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輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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對稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
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標準時間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
清洗
關于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題,但這僅僅是對單個普通有源晶振產品進行試驗所得的結果,因此請根據實際使用狀態(tài)進行確認。
由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請盡可能避免超聲波清洗。
若要進行超聲波清洗,必須事先根據實際使用狀態(tài)進行確認。
撞擊
雖然進口有源晶振產品在設計階段已經考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用。
裝載
<SMD產品>
SMD晶體產品支持自動貼裝,但還是請預先基于所使用的搭載機實施搭載測試,確認其對特性沒有影響。 在切斷工序等會導致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到產品的特性以及軟焊。 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得SPXO振蕩器產品(諧振器、振蕩器、濾波器)內部傳播過大的振動,有可能導致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使 用。
<引線類型產品>
當引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時,請注意避免對基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導致玻璃出現裂痕,從而引起性能劣化。IDT晶振,OSC振蕩器,XL晶振
保管
保管在高溫多濕的場所可能會導致端子軟焊性的老化。
請在沒有直射陽光,不發(fā)生結露的場所保管。
輸出波形與測試電路
1.時序表
2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。IDT晶振,OSC振蕩器,XL晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)
3.測試電路



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